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CPH3350
10m
0m
era
tio
μ s
1m
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VDS= --10V
ID= --3A
VGS -- Qg
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
IDP= --12A (PW ≤ 10 μ s)
ID= --3A
DC
Operation in this area
is limited by RDS(on).
ASO
10
s
op
n
s
100
s
--1.0
--0.1
7
--0.5
0
5
3
2
--0.01
Ta=25 ° C
Single pulse
W hen mounted on ceramic substrate (900mm 2 ×0.8mm)
0
1
2
3
4
5
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC IT13016
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16676
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT13018
No. A0151-4/6
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